• 帮助
  • 广告服务

京财时报

中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展

京财时报   来源:IT之家    发布时间:2022-12-12 23:47:09   阅读量:9465   

高功率氧化镓肖特基二极管

图1结终端扩展氧化镓肖特基二极管设备结构示意图具有不同JTE区域电荷浓度的器件的击穿特性的比较封装器件反向恢复特性的测试电路与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较

氧化镓光电探测器

相对光栅光电探测器的概念和基本特性。

本站了解到,上述两项研究得到了国家自然科学基金,中科院,科委等的支持,同时也得到了中国科学技术大学微纳研究与制造中心,中国科学技术大学信息科学实验中心,阜新微电子公司等单位的支持在器件准备,模拟和封装方面

声明:本网转发此文章,旨在为读者提供更多信息资讯,所涉内容不构成投资、消费建议。文章事实如有疑问,请与有关方核实,文章观点非本网观点,仅供读者参考。

上一篇:农村所说一间房多大

下一篇:返回列表

热文推荐

首页 | 新闻| 财经| 房产| 娱乐| 旅游| 时尚| 生活| 科技| 健康| 汽车| 教育| 今日北京 | 电子报

Copyright @ 2010- 网站地图
关于同意京财时报设立互联网站并提供新闻信息服务的批复